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6ES7134-4GB01-0AB0

6ES7134-4GB01-0AB0

简要描述:6ES7134-4GB01-0AB0
西门子PLC模块设备定期清扫
(1) 每六个月或季度对PLC进行清扫,切断给PLC供电的电源把电源机架、CPU主板及输入/输出板依次拆下,进行吹扫、清扫后再依次原位安装好,将全部连接恢复后送电并启动PLC主机。认真清扫PLC箱内卫生;
(2) 每三个月更换电源机架下方过滤网;
检修前准备
(1) 检修前准备好工具;
(2) 为保障元件的功能不出故障及模板

产品型号:

所属分类:ET200

更新时间:2021-06-21

厂商性质:代理商

详情介绍

6ES7134-4GB01-0AB0

西门子PLC模块设备定期清扫   

1) 每六个月或季度对PLC进行清扫,切断给PLC供电的电源把电源机架、CPU主板及输入/输出板依次拆下,进行吹扫、清扫后再依次原位安装好,将全部连接恢复后送电并启动PLC主机。认真清扫PLC箱内卫生;

2) 每三个月更换电源机架下方过滤网;

检修前准备

1) 检修前准备好工具;

2) 为保障元件的功能不出故障及模板不损坏,必须用保护装置及认真作防静电准备工作;

3) 检修前与调度和操作工联系好,需挂检修牌处挂好检修牌;

设备拆装顺序及方法

1) 停机检修,必须两个人以上监护操作;

2) 把CPU前面板上的方式选择开关从“运行”转到“停”位置;

3) 关闭PLC供电的总电源,然后关闭其它给模坂供电的电源;

4) 把与电源架相连的电源线记清线号及连接位置后拆下,然后拆下电源机架与机柜相连的螺丝,电源机架就可拆下;

5) CPU主板及I/0板可在旋转模板下方的螺丝后拆下;

6) 安装时以相反顺序进行;

 

ET200S, EL-MOD., 2AI STD I-2DMU, 0-20MA,

  • 产品信息细节

  •  
  • 技术数据

  •  
  • CAx数据

技术数据

SIMATIC DP,电子模块 针对 ET200S,2AI Standard I-2DMU 15mm 结构宽度 4.. 20mA;13 位 用于 2 线测量变换器 每通道循环时间 65ms 利用 LED 集中报错(集中报错)
电源电压
负载电压 L+
● 额定值 (DC)24 V; 电源模块
● 反极性保护是; 每个通道的损毁临界值为 35 mA
输入电流
来自负载电压 L+(空载),最大值80 mA
来自背板总线 DC 3.3 V,最大值10 mA
功率损失
功率损失,典型值0.6 W
地址范围
每个模块的地址空间
● 每个模块的地址空间,最大值4 byte
模拟输入
模拟输入端数量2
电流输入允许的输入电流(毁坏限制),最大值40 mA
循环时间(所有通道),最大值每个模块激活的通道数量 x 基本转换时间
输入范围
● 电压
● 电流
● 热电偶
● 电阻温度计
● 电阻
输入范围(额定值),电流
● 4 mA 至 20 mA是; 50 欧姆时
导线长度
● 屏蔽,最大值200 m
输入端的模拟值构成
测量原理集成
集成和转换时间/每通道分辨率
● 带有过调制的分辨率(包括符号在内的位数),最大值13 bit; 4 至 20 mA:13 位
● 积分时间 (ms)16,7 / 20 ms
● 对于干扰频率 f1(单位 Hz)的干扰电压抑制50 / 60 Hz
● 转换时间(每个通道)65 ms; 55 / 65 ms
测量值滤波
● 可参数化是; 使用数字滤波分 4 个等级
● 等级: 无是; 1x 循环时间
● 等级:弱是; 4x 循环时间
● 等级: 中等是; 32x 循环时间
● 等级: 强是; 64x 循环时间
传感器
信号传感器连接
● 对于作为两线制测量变送器时的电流测量 
— 双线测量变频器的负载,最大值750 Ω
误差/精度
线性错误(与输入范围有关),(+/-)0.01 %
温度错误(与输入范围有关),(+/-)0.005 %/K
输入端之间的串扰,最小值-50 dB
25 °C 时起振状态下的重复精度(与输入范围有关),(+/-)0.05 %
整个温度范围内的操作错误限制
● 电流,与输入范围有关,(+/-)0.6 %
基本错误限制(25 °C 时的操作错误限制)
● 电流,与输入范围有关,(+/-)0.4 %
故障电压抑制 f = n x (f1 +/- 1 %),f1 = 干扰频率
● 串联干扰(干扰峰值 < 输入范围的额定值),最小值70 dB
等时模式
节拍同步运行(应用程序至端口同步)
报警/诊断/状态信息
诊断信息
● 断线
● 累积故障
● 溢出/下溢
诊断显示 LED
● 累积故障 SF(红色)
参数
注释4 字节
测量方式/测量范围关闭/ 4...20 mA
累积诊断锁定/释放
溢出/下溢锁定/释放
电位隔离
模拟输入电位隔离
● 在通道之间
● 在通道和背板总线之间
● 在通道和负载电压 L+ 之间
绝缘
绝缘测试,使用DC 500 V
尺寸
宽度15 mm
高度81 mm
深度52 mm
重量
重量,约40 g

 6ES7134-4GB01-0AB0

 

  1. 首先检查 SIMATIC 存储卡的写保护开关是否设置在写保护的位置。做这个检查必须将 SIMATIC 存储卡从 S7-1500 CPU 中取出。为了将SIMATIC 存储卡取出,必须使 S7-1500 CPU 进入停止状态或者将关掉 CPU 的电源。
  2. 在移出 SIMATIC 存储卡后检查卡上写保护开关的位置 (图. 01)。如果写保护开关位于底部位置,必须将开关切换到顶部位置。
  3. 然后将存储卡再次插入到 CPU 中,并且尝试再次下载项目至 S7-1500 CPU 中。
  • 开关向上:取消写保护
  • 开关向下:写保护


图. 01

取消 SIMATIC 存储卡的写保护功能,仍然不能识别出存储卡

  • 如果 SIMATIC 存储卡的写保护开关已经在上方位置(非写保护)并且
  • 不能下载项目至 S7-1500 CPU。
  1. 这种情况下可以使用 STEP 7 (TIA Portal) 和 SD 读卡器向 SIMATIC 存储卡中写入程序。将 SIMATIC 存储卡插入到 SD 读卡器中并且经由读卡器向 SIMATIC 存储卡中传送程序。


图. 02

  1. 然后将 SIMATIC 存储卡再次插入到 CPU 中并尝试下载项目到 S7-1500 CPU 中。
  2. 如果仍然不能够将项目装载至 S7-1500 CPU 中,再次将 SIMATIC 存储卡从 S7-1500 CPU 中移除。
    注意
    再次强调,这个过程中 S7-1500 CPU 必须是停止模式或者关闭电源。
  3. 然后再次插入 SIMATIC 存储卡至 PC 机的 SD 读卡器中,并在 Windows 浏览器中打开 SIMATIC 存储卡。
  4. 现在从 SIMATIC 存储卡中删除 "SIMATIC.S7S" 目录和 "S7_JOB.S7S" 文件。
    注意
    可以使用 Windows 浏览器的“删除”功能来删除卡中文件。但是不能删除 "__LOG__" 和 "crdinfo.bin" 系统文件。不要使用“格式化”功能,引文这将导致 SIMATIC 存储卡不能再使用。


图. 03

  1. 再次将 SIMATIC 存储卡插回到 CPU 中。当插入空卡,"SIMATIC.S7S" 文件夹和 S7_JOB.S7S 文件会自动的创建。
  2. 现在再次尝试下载项目到 S7-1500 CPU 中。如果还是不能下载配置,这个 CPU 不能识别出未保护的 SIMATIC 存储卡。
  3. 保险起见,更换不同的 SIMATIC 存储卡重复上述步骤,如果现象依旧,那么推荐将 CPU 返回维修。
本条目解释了“网关”的概念,并列举了在 S7-1500 CPU 系统中使用网关应注意哪些方面。
 

“网关” 定义
网关是将输入与输出数据从一个子网传送到另一个子网的转换设备。例如 IE/PB bbbb,DP/AS-i bbbb 及其他产品。

与 S7-1500 CPU 连接的网关
SIMATIC S7-1500 拥有大量的、系统集成的诊断功能,一旦发生错误时可以迅速识别。
支持S7-1500CPU支持的网关,通过STEP 7 V13 SP1或更高版本来配置。 如果正在使用较早版本的STEP7,也可参照本FAQ中的注意事项。

V13版及以下使用S7-1500 CPU组态网关 
STEP 7 V13版及以下版本,通过硬件目录部分的“网络组件”配置网关时不支持S7-1500。因此,图.01 中所示的与 S7-300 CPU 的组态不适用于 S7-1500。


图. 01

STEP 7 V13版及以下版本,当用SIMATIC S7-1500 组态网关时,编译后会出现如下的错误信息:

  • 在 PROFIBUS 和 PROFINET 网络上, 已连接的 CPU 不支持更低级别的 AS 接口从站组态。
  • 如果 DP 主站/ IO 控制器是 S7-1500 设备,那么 DP 从站/ IO 设备将不能正常运行。

补救
通过一个 GSD 文件来组态 AS-i Links (如图. 02)或者在网络视图中(如图. 03)不组态AS-i 部分网段,这样可以组态一个1500做主站的配置。

这种架构可以包含网关,诊断数据集中从 AS-i Links 给到 CPU ,从 CPU 角度来说就像集成了一个平台。

用户程序中的IO地址和 AS-i 从站的分配取决于 AS-i bbbb 的类型,并且在不同情况下手册中都可以找到。


图. 02


图. 03



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